Ha a kondenzátorok többértékű memóriacellákként való alkalmazásánál a szivárgás a legnagyobb ellenérv, akkor miért nem resetelnek minden tárolás mellett egy szivárgásmérő kondenzátort, amiből visszaszámolhatnánk az eredeti, pontos értéket?
Az lenne az előnye, hogy a bináris memóriával szemben, ami n cella esetén 2^n különböző adatot tud megkülönböztetni, addig n olyan memóriacella, ami mondjuk 10 feszültségérték között tud különbséget tenni, az 10^n különböző adatot tud reprezentálni.
10 bináris cella: 1,024 adat.
10 "dekanáris" cella: 10,000,000,000 adat.
Ezek azért elég tekintélyes nagyságrendi különbségek ahhoz, hogy fontolóra vegyük a most még bizonytalan többértékű memóriacellákat.
Itt egy darab cellát érdemes vizsgálni, és azt, hogy hogyan lehet felépíteni. Ezzel többször kísérleteztek, és mindig arra jutottak, hogy nem éri meg.
Jelenleg az érdemi tárolást egy darab tranzisztorral meg lehet oldani (DRAM és mindenféle változatai). Ehhez egy kis meghajtó (cím dekódoló áramkör néhány tucat tranzisztor nem oszt nem szoroz), egy kis busz illesztés megint nem oszt-nem szoroz a megabites méretek esetén sem. (Meg az a másikhoz is fog kelleni).
Nézzük a kondenzátoros megoldást. Egy "cellában" elfér szerinted 10 érték (10 különböző feszültség szint). Ez nagyjából 3,32 bitnyi információ /2-es alapu logaritmus 10/. Tehát ha sikerül megoldani azt, hogy a kondenzátoros megoldás esetén a 10 érték elkülönítésehez kevesebb mint 3,32 (lefelé kerekítve 3 db.) tranzisztor elég akkor "nyertünk" tranzisztort. Ha nem tudjuk megoldani akkor semmit nem nyertünk. És azért az látható, hogy 3 db. tranzisztorral nem oldjuk meg azt, hogy 10 értéket "kivegyünk". Ha csak egy darab AD konvertert használunk, és ehhez egy analóg mux-ot az sincs meg 3 db. tranzisztorból. Tehát semmit nem nyertünk, azon kívül, hogy eszetlenül elbonyolítottuk az egészet, és bizonytalan lett a működés.
Az 1 bites kondenzátoros memóriacella beírt értéke sem 100% bizonyosságú a zajfeszültség miatt, ezért sokszor használnak szoftveres megoldásokat is a memóriahibázás hatásainak csökkentésére.
Semmi értelme se lenne tovább rontani a helyzeten további elbonyolítással. A legegyszerűbb megoldás esetünkben a legtökéletesebb is, mert a fizikai világ törvényszerűségei megkerülhetetlenek.
"10 bináris cella: 1,024 adat.
10 "dekanáris" cella: 10,000,000,000 adat."
Dehogy ennyi adat, csupán ennyi különböző állapot.
Tehát 10 "bekanáris" (az elnevezésből sejthető ki a kérdező) cella: 10,000,000,000 különböző állapot.
34 bináris cella 17,179,869,184 különböző állapot.
Ezért a nyereségért nem érdemes a beírásra és a kiolvasásra bonyolult és lassú áramköröket alkalmazni.
Akkor javítom magam: nem 1,024 adat, hanem 1,024 különböző állapot. Remélem így érthetőbb.
Tegyük fel, hogy később még nagyobb pontosságot is el tudunk érni. Például ha 0.1% hibával tudunk megkülönböztetni feszültségértékeket, akkor 1,000 különböző feszültséget tudunk nagy valószínűséggel megkülönböztetni. Végig élek azzal a feltevéssel, hogy amíg a megkülönböztethető feszültségértékek száma O(exp(n)), addig az áramköri elemek száma O(1) vagy maximum O(n)-es.
100 darab 1000-áris cella esetén: 1000^100 = 10^300 különböző állapotunk van.
100 darab bináris cella esetén: 2^100 = 1.26×10^30 különböző állapot.
Még ha O(1) helyett O(n) is az átváltás az exp(n)-áris-bináris memóriacellák között, akkor is lennie kell minden n-re egy c határcellaszámnak, ami fölött nem éri meg a binárist választani - "bonyolultság" ide vagy oda.
Kapcsolódó kérdések:
Minden jog fenntartva © 2024, www.gyakorikerdesek.hu
GYIK | Szabályzat | Jogi nyilatkozat | Adatvédelem | Cookie beállítások | WebMinute Kft. | Facebook | Kapcsolat: info(kukac)gyakorikerdesek.hu
Ha kifogással szeretne élni valamely tartalommal kapcsolatban, kérjük jelezze e-mailes elérhetőségünkön!