A diódák miért nem (illetve csak nagyon csekély mértékben) vezetnek a záróirányban (természetesen a letörési feszültségnél kisebb abszolút értékű feszültségek tartományában)?
Egész egyszerűen csakis a szabad töltéshordozók vezethetik az áramot. A záróirányú feszültség által a szabad töltéshordozóktól teljesen kiürített PN átmenet tökéletesen szigetel, bár ezek hiánya erős elektromos mezőt hoz létre.
Ez az elektromos mező az odatévedő töltéshordozókat gyorsítja és ionizációt is kiválthat. Ez a jelenség felelős a záróirányú szivárgásért és a szigetelőképesség hirtelen letöréséért is.
A záróirányú mezőnek az intenzitása meredekebb függvénnyel növekszik, mint a kiürített zóna szélessége, ezért egy bizonyos feszültségnél letörik a szigetelés. A dióda feszültségtűrő készsége csakis az anyagának a fizikai állandójától és a dópolás mértékétől függ. Például nemigen gyártanak szilíciumdiódákat 1,5 kilovolt fölé, mert az ennél gyengébb dópolás már nagyon rontaná a nyitóirányú átvezetést.
A modern egyenirányítók így is minimum háromrétegű struktúrával bírnak, hogy ne legyen túl nagy a belső ellenállásuk. Hasonló elven van kihozva az IGBT-k alacsony belső ellenállása is.
Hú, nagyon köszönöm a részletes választ. Ezzel foglalkozol, hogy így tudod? Viszont nekem is eszembe jutottak dolgok közben, szerinted igaz lehet a következő két dolog?
1.) Azt eddig is gondoltam, hogy ezeket a folyamatokat kvantummechanikai hatások is befolyásolják. És arra gondoltam, hogy a lyukak vándorlását a p-rétegben segíti a Heisenbergi-határozatlanság, ugyanis, ha ott "kölcsönvevődik" a semmiből egy kis energia, amely ahhoz kell, hogy az elektron kiszakadjon egy betöltött lyukból, akkor miután csak kis távolság megtétele után rekombinálódik egy másik lyukkal, akkor ez az energia felszabadul, és rögtön vissza is "törlesztődik" a semmibe. Viszont ha a kiszakadt elektron az n-rétegbe kerül, akkor ott nem rekombinálódik semmivel, így ezt a folyamatot nem segítheti az alagúthatás, míg a p rétegben a lyukak vándorlását igen.
2.) A fémes csatlakozásnál a fém és a p réteg érintkezési felülete kisebb, mint a p-n átmenet határfelülete, és így itt nagyobb térerősség alakul ki, amely képes - nyitó irányban - az elektronok kiszakítására a betöltött lyukakból, és elvezetni azokat a feszültségforrás pozitív pólusa felé, hogy a közben létrejövő új lyukak megindulhassanak a p-n határréteg felé, és ott rekombinálódjanak az n rétegből érkező elektronokkal.
Amit írsz, az nekem eléggé zavarosnak hat.
1. A félvezetőkben úgynevezett sávok vannak, melyek energetikailag meghatározzák a töltéshordozók helyezkedési lehetőségeit. Bizonyos esetekben az alagúthatás meghatározó is lehet.
2. Nincs kikötés a rétegek érintkezési felületére, de a fém/félvezető csatlakozások tulajdonságait meredeken befolyásolja az alkalmazott fém Fermi-energiaszintje, ugyanis ez határozza meg, hogy ohmos csatlakozást, vagy Schottky-dióda átmenetet kapsz.
1. A dióda kiürítési rétege záróirányú feszültség esetén
Amikor záróirányú feszültséget kapcsolunk a dióda két vége közé:
A p-réteg pozitív pólushoz, az n-réteg pedig a negatív pólushoz csatlakozik.
Ez az elektromos tér elvonzza a töltéshordozókat a pn-határfelületről: a p-réteg lyukait távolabb húzza a határfelülettől, és az n-réteg elektronjait is eltávolítja a határfelületről.
Ennek eredményeként a kiürítési réteg (depléciós réteg) megvastagszik, és gyakorlatilag töltéshordozó-mentes zónát képez a p- és n-réteg között.
Ez a kiürítési réteg viselkedik szigetelőként, mert a benne lévő elektromos tér megakadályozza, hogy a töltéshordozók szabadon áthaladjanak rajta.
2. Mi történik záróirányban?
Záróirányú feszültség alatt:
A p-réteg pozitív töltésű ionjai (a kiürítési rétegben) és az n-réteg negatív ionjai (szintén a kiürítési rétegben) erős elektromos teret hoznak létre a határrétegben.
Ez az elektromos tér ellenáll a töltéshordozók áramlásának. A p-réteg betöltött lyukaiból az elektronok valóban "kihúzódhatnának", ahogyan említetted, de ehhez az elektronnak a kiürítési réteggel szemben, a záróirányú feszültség által létrehozott tér ellenében kellene áthaladnia. Ez energetikailag nem kedvező.
A töltések áramlása záróirányban: a termikus gerjesztés szerepe
Záróirányban csak nagyon kevés elektron és lyuk jut át a kiürítési rétegen, és ez a folyamat is kizárólag a hőmérséklet által biztosított termikus energia miatt történik.
Ezek az elektronok és lyukak véletlenszerűen "gerjesztődnek" a p- és n-rétegben, és átjuthatnak a kiürítési rétegen, de ezek száma rendkívül kicsi, mert a kiürítési réteg elektromos tere jelentős akadályt jelent.
Ezért záróirányban a dióda fordított árama (reverse leakage current) nagyon kicsi, tipikusan nanoamperes vagy még kisebb nagyságrendű.
3. Miért más a helyzet nyitóirányban?
Nyitóirányban a p-réteg negatív pólushoz, az n-réteg pedig pozitív pólushoz kapcsolódik. Ez a külső feszültség ellensúlyozza a kiürítési réteg természetes elektromos terét, és:
A kiürítési réteg vastagsága csökken.
Az elektronok az n-rétegből könnyen áthaladhatnak a határfelületen a p-réteg felé, ahol rekombinálódnak a lyukakkal.
A lyukak a p-rétegben pedig szabadon mozognak az áramkör negatív pólusa felé.
Nyitóirányban tehát a külső feszültség elősegíti a töltéshordozók áramlását a pn-határfelületen keresztül, miközben záróirányban akadályozza azt.
4. Miért nem működik záróirányban ugyanaz a mechanizmus, mint nyitóirányban?
A kérdésed pontosan erre mutat rá: ha nyitóirányban a töltéshordozók „átszivárgása” lehetséges, akkor záróirányban miért nem indul be ugyanez a folyamat?
a) A kiürítési réteg elektromos tere
Nyitóirányban a külső feszültség csökkenti a kiürítési réteg elektromos terét, megkönnyítve a töltéshordozók mozgását.
Záróirányban viszont a külső feszültség növeli a kiürítési réteg elektromos terét, amely akadályozza a töltéshordozók átjutását.
b) Az energetikai akadály
Záróirányban az elektronoknak a p-rétegben lévő betöltött lyukakból való „kihúzásához” szükséges energia jóval nagyobb, mint nyitóirányban. Ez azért van, mert az elektronokat nemcsak a kristályszerkezet kötései, hanem a kiürítési réteg elektromos tere is visszatartja.
c) Termikus energia hiánya
Bár a termikus energia biztosít néhány "gerjesztett" elektront és lyukat, ezek száma rendkívül csekély, különösen alacsonyabb hőmérsékleten. Így a záróirányú áram gyakorlatilag elhanyagolható.
5. Összegzés
A dióda záróirányú viselkedése tehát a következő tényezők kombinációjának köszönhető:
A kiürítési réteg elektromos tere záróirányban vastagabb, és erősen ellenáll a töltéshordozók áramlásának.
Energetikai akadály: A záróirányú áramlás csak olyan töltéshordozókkal lehetséges, amelyek rendelkeznek elegendő energiával ahhoz, hogy legyőzzék a kiürítési réteg elektromos terét. Ez csak nagyon ritkán fordul elő, és hőmérsékletfüggő.
Nyitó- és záróirány közötti szimmetria hiánya: Nyitóirányban a külső feszültség csökkenti az akadályt, záróirányban pedig növeli azt.
Ezért a dióda gyakorlatilag nem vezet záróirányban, kivéve nagyon kicsi, termikusan gerjesztett áramok formájában.
Kapcsolódó kérdések:
Minden jog fenntartva © 2025, www.gyakorikerdesek.hu
GYIK | Szabályzat | Jogi nyilatkozat | Adatvédelem | Cookie beállítások | WebMinute Kft. | Facebook | Kapcsolat: info(kukac)gyakorikerdesek.hu
Ha kifogással szeretne élni valamely tartalommal kapcsolatban, kérjük jelezze e-mailes elérhetőségünkön!