Az IGBT-k ben a nagy áramot bipoláris tranzisztor kapcsolja, ennek meghajtását egy FET végzi el. A kérdésem az hogy a bipoláris tranyó vajon melyik tulajdonsága miatt használják ebben az eszközben, miért nem csak FET az egész?

MOSFET-et lehet ugyan párhuzamosítani, csak sajnos a gate-kapacitások is párhuzamosítódnak, ahol a töltő-kisütőáramok leküzdése a vezérlés szempontjából egyre nagyobb korlátot képez. Miközben az impulzusok határozott meredekségét szükséges lenne megőrizni, mert ha részlegesen lineáris átmenet keletkezik, az régen rossz. Nem lesz tökéletes a kapcsolóüzem, ami igen kellemetlen következményekkel jár, disszipáció stb.

Eleve az is kellemetlen, hogy MOSFET egyébként nem igényelne kapuáramot statikus állapotban, de impulzusmódban a gate-kapacitás agyonvágja ezt az előnyt és egyre nagyobb vezérlőteljesítmény-igény lép fel.

[link]

Néhány részt kiemelnék:

The IGBT is characterized by its ability to simultaneously handle a high voltage and a large current. The product of the voltage and the current density that the IGBT can handle reached more than 5×105 W/cm2, which far exceeded the value, 2×105 W/cm2, of existing power devices such as bipolar transistors and power MOSFETs. This is a consequence of the large safe operating area of the IGBT. The IGBT is the most rugged and the strongest power device that ever developed, thus, providing users with easy use of the device and displaced bipolar transistors and even GTOs.

Once the non-latch-up capability was achieved in IGBTs, it was found that IGBTs exhibited very rugged and a very large safe operating area. It was demonstrated that the product of the operating current density and the collector voltage exceeded the theoretical limit of bipolar transistors, 2×105 W/cm2, and reached 5×105 W/cm2.

The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of power MOSFETs with the high-current and low-saturation-voltage capability of bipolar transistors. The IGBT combines an isolated-gate FET for the control input and a bipolar power transistor as a switch in a single device. The IGBT is used in medium- to high-power applications like switched-mode power supplies, traction motor control and induction heating. Large IGBT modules typically consist of many devices in parallel and can have very high current-handling capabilities in the order of hundreds of amperes with blocking voltages of 6500 V. These IGBTs can control loads of hundreds of kilowatts.