Integrált áramköröknél pontosan mit jelent az, hogy az adott IC x nanométeres technológiával készült?
Van, aki azt mondta/írta, hogy ez két vezető sín közti távolság a félvezetőn belül.
Nade már olyanokat írnak, hogy 7nm-es processzorok gyártásába kezdtek, ezek legyártására adnak le megrendeléseket a TSMC-nek... Ha 7nm a két vezető anyag közötti távolság, akkor elképzelhetetlennek tartom, hogy ne legyenek olyan mértékű, kiszámíthatatlan/kezelhetetlen áthallások, kóboráramok, vagy kapacitásként viselkedő részek, hogy bármilyen értelmes áramkör létrehozható legyen.
Nem inkább arról van szó, hogy a 7nm az egy vezeték átmérőjére értendő?
Amióta bevezetésre került a 3D-s porcesszor-szerkezet, ez már inkább csak egy olyan szám, ami arra utal, hogy hagyományos szerkezetű prociból ugyanennyi adott lapkaméreten milyen adatszál-sűrűséggel járna. Nem a valódi távolság mérete.
Az IBM nemrég jelentette be a 2 nanométeres proci gyártáselőkészítését, felmérhető, hogy ha a szálméreteket, távolságokat takarná valóban ez a méret, az már fizikailag nem működne.
Megint ki a tosz trollkodott ide be és pontozgatja le az oldal hasznos válaszadóit?!
😠
HE?!
Kapcsolódó kérdések:
Minden jog fenntartva © 2024, www.gyakorikerdesek.hu
GYIK | Szabályzat | Jogi nyilatkozat | Adatvédelem | Cookie beállítások | WebMinute Kft. | Facebook | Kapcsolat: info(kukac)gyakorikerdesek.hu
Ha kifogással szeretne élni valamely tartalommal kapcsolatban, kérjük jelezze e-mailes elérhetőségünkön!